CVD即化學(xué)氣相沉積，是利用氣態(tài)物質(zhì)，在固體表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)沉積物的工藝過程。CVD是當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來進(jìn)行沉積制備所需薄膜材料的技術(shù)，如半導(dǎo)體薄膜、介質(zhì)薄膜、金屬薄膜等，在CVD制成中，根據(jù)不同的薄膜材料需要向反應(yīng)室內(nèi)通入兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料，特氣氣體源包括：氫氣、氮?dú)?、氧氣、氬氣、氯化物、硼化氫、金屬有機(jī)化合物。
CVD過程中從反應(yīng)室中排出的廢氣，即稱為VCD廢氣。其成分包括未反應(yīng)的原料氣和沉積過程生成的新氣態(tài)產(chǎn)物。CVD廢氣主要包括五大類，還可能伴隨有顆粒物污染物，其中有害氣體的成分復(fù)雜且含量極高，因此CVD廢氣必須要進(jìn)行有效的治理后，方可排放，否則將嚴(yán)重污染大氣環(huán)境和危害人類身體健康。
天得一致力于工業(yè)廢氣治理技術(shù)的研究與創(chuàng)新20年，基于本身豐富的工業(yè)廢氣治理實(shí)踐，為半導(dǎo)體企業(yè)提供專業(yè)的CVD廢氣治理解決方案。我們將根據(jù)客戶CVD廢氣成分，有針對性的進(jìn)行治理方案設(shè)計(jì)。在為國內(nèi)某大型半導(dǎo)體企業(yè)提供CVD廢氣治理服務(wù)中，通過分析，其CVD廢氣中主要含有氫氣、甲基三氯硅烷（MTS）、甲烷、丙烷、丙烯、HCI和HF等危險性氣體，我們設(shè)計(jì)了Local Scrubber+洗滌塔+除霧+活性炭吸附組合工藝對CVD廢氣進(jìn)行治理。
CVD廢氣首先經(jīng)過Local Scrubber凈化系統(tǒng)進(jìn)行處理，Local Scrubber凈化系統(tǒng)與CVD生產(chǎn)系統(tǒng)在智能系統(tǒng)的控制下進(jìn)行聯(lián)動，實(shí)現(xiàn)對一般有機(jī)廢氣和毒腐氣體進(jìn)行智能切換，CVD廢氣在經(jīng)Local Scrubber凈化系統(tǒng)處理后，排入中央廢氣處理系統(tǒng)，與一般有機(jī)廢氣混合在一起進(jìn)行集中處理后達(dá)標(biāo)排放。整套系統(tǒng)通過多技術(shù)的綜合應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)對CVD廢氣進(jìn)行安全、高效、穩(wěn)定的處理。
天得一堅(jiān)持技術(shù)環(huán)保，為客戶創(chuàng)造價值，助力半導(dǎo)體企業(yè)綠色低碳生產(chǎn)，為人類可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
